可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了
Fast Technology 6 月16 日报道，ASML 于去年底向英特尔交付了全球首台High NA EUV 极紫外光刻机。同时，它正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，有望将半导体工艺推进到0.2nm。大约2埃。
ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括现有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。
该系列预计到2025年2nm量产，之后还要加多重曝光。预计到2027年能实现1.4nm的量产。
High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列，包括现有的5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00。
他们将从2nm 以下的工艺开始。 Intel首发的是14A 1.4nm。预计2029年左右可量产1nm，多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。
接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前后推出，对应产品命名为HXE系列。
ASML预计，Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm甚至更先进工艺的量产，但目前还不能完全肯定。
值得一提的是，单个硅原子的直径约为0.1nm，但上述工艺节点并非晶体管的实际物理尺寸，而是基于性能和能效提升一定比例的等效说法。
例如，在0.2nm工艺中，实际晶体管金属间距约为16-12nm，后续将继续缩小至14-10nm。
Low/High/Hyper三种光刻机会共同使用单一的EUV平台，大量模块将相互通用，从而大大降低研发、制造和部署成本。
然而，单台高NA光刻机的价格已达到约3.5亿欧元。 Hyper NA光刻机的价格必然会继续大幅上涨，并且越来越接近物理极限。因此，无论从技术还是成本角度来看，Hyper NA未来会发生什么？我心里也没数过。
微电子研究中心（IMEC）项目总监Kurt Ronse悲观地说：“无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻，现有的光刻技术必然终结。”
