曝三星HBM3芯片未通过英伟达测试：发热严重
快科技5月24日消息，据媒体报道，三星电子最新研发的高带宽内存HBM芯片在英伟达的测试中未能达标，因严重发热而无法用于英伟达的AI处理器。
据了解，受影响的产品涉及三星的HBM3芯片，这是目前人工智能图形处理单元最常用的第四代HBM标准。
数据显示，HBM3具有更高的带宽和更低的延迟。由于HBM3芯片堆叠在一起，通过短距离、高密度的互连通道传输数据，因此带宽可以达到数百GB/s。
HBM3 为加速内存和处理器之间的数据移动、降低发送和接收信号所需的功耗以及提高需要高数据吞吐量的系统的性能打开了大门。
然而，实现这一目标并不容易。制造并充分利用这项技术将面临重大挑战。最大的挑战是热量控制。 HBM结构会积聚大量热量，而DRAM和GPU封装会加剧这种情况。这对散热和散热提出了更多的挑战，迫使制造商在延迟和散热之间做出选择。显然，无论做出哪种选择，都会从另一个角度推高总成本。
