Intel 14A工艺至关重要！2025年之后稳定领先

过去几年，英特尔以前所未有的力度推动先进制造技术，希望尽快超越台积电，重新夺回领先地位。现在它又重申了这条路线，特别是未来打算采用未来14A 1.4nm级别的工艺。巩固领先地位。

目前，英特尔正在按计划实现“四年五个工艺节点”的目标。采用EUV极紫外光刻技术的Intel 7工艺、Intel 4和Intel 3均已实现量产。

其中，Intel 3作为升级版本，今年将陆续发布服务器端的Sierra Forest和Granite Rapids。前者首次采用纯E核设计，最高可达288。

Intel 20A和Intel 18A两个节点正在顺利推进中，分别相当于2nm、1.8nm，将继续采用EUV技术，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。

凭借这两者，英特尔希望在2025 年重新获得工艺领先地位。

此后，英特尔将继续利用创新技术推动未来工艺节点的开发和制造，以巩固其领先地位。

其中一个关键点就是High NA EUV技术，而数值孔径（NA）正是衡量收集和集中光线能力的指标。

通过升级将掩模上的电路图案反射到硅晶圆上的光学系统，高数值孔径EUV 光刻可以显着提高分辨率，从而有助于进一步缩小晶体管。

作为继Intel 18A之后的下一个先进工艺节点，Intel 14A 1.4nm级别将采用高NA EUV光刻技术。

为了制造更小特征尺寸的晶体管，在集成高NA EUV光刻技术的同时，英特尔也在同步开发新的晶体管结构并改进工艺步骤，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。

此外，英特尔还发布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的多个演进版本，以帮助客户开发和交付满足其特定需求的产品。

继续浏览有关 Intel Intel 14A Intel 18A 极紫外光刻 的文章

打赏 分享

微信扫一扫：分享

微信里点“发现”，扫一下

二维码便可将本文分享至朋友圈。

• 请小编喝杯咖啡吧！