三星全球首发量产第九代QLC闪存：一颗1Tb、写入提升100％
快科技9月12日讯三星电子官方宣布，已经开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存，单颗容量1Tb(128GB)。就在今年4月，三星开始量产第九代TLC V-NAND闪存，二者只间隔4个月。
三星第九代QLC NAND闪存融合了多项创新：
一种是通道孔蚀刻（通道孔蚀刻）。
基于双栈架构，实现了业界最高的单元堆叠层数（具体未透露）。同时，对存储单元面积和外围电路进行了优化，位密度比上代提升约86。，第二个是预设模具（Designed Mold）。
可以调整和控制存储单元的字线间距，以保证同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，以达到最佳效果数据保持性能提升约20，并增强可靠性。
第三个是预测程序（预测节目）。
能够预测和控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60。第四个是低功耗设计（低功耗设计）。
降低驱动NAND存储单元所需的电压，并仅感测必要的位线（Bit Line）。数据读取功耗约分别下降了约30、50。三星第九代QLC V-NAND闪存将首先用于消费电子产品，然后逐步在UFS、PC、服务器领域铺开。
