SK海力士明年量产400层闪存！能让SSD更便宜吗？
据快科技8月4日报道，为了实现如此密集的堆叠，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。与目前将闪存单元放置在外围驱动电路上的PUC结构完全不同。
这涉及到连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉积、布线等阶段。
事实上，这与长江内存的堆栈结构颇为相似。
SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W(wafer-to-wafer)结构，将两块晶圆键合在一起至于其他厂商，三星已量产290层闪存，目标到2030年突破1000层。
美光已将276层闪存投入实用。
Kioxia 去年达到了218 个级别，暗示到2027 年预计将达到1,000 个级别。
长江存储……不公开，不能说。
