仅次于光刻！我国突破氢离子注入核心技术 100％国产
快科技9月11日消息，据国家电投集团官方消息，近日，集团所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这标志着我国全面掌握了功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，完成了缺失的我国半导体产业链中的点。重要环节，为半导体离子注入设备和工艺全面国产化奠定基础。
工程师对晶圆进行离子注入以进行生产
氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等各类半导体产品的制造过程中发挥着关键作用。
该领域核心技术和装备技术的缺乏，严重制约了我国半导体产业的高端发展。尤其是600V以上的高压电源芯片长期依赖进口。
在国外关键技术和装备受阻的不利条件下，核芯在不到3年的时间里突破了多项关键技术壁垒。实现了100%自主技术、100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。经历了累计近1万小时的工艺、可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平首批交付的芯片产品受到用户好评。
