中微成立20年：未来五到十年覆盖集成电路关键领域50%至60%设备 自主可控
8月3日消息，昨天，中国微电子集团公司庆祝成立20周年。当日，总投资15亿元的中国微港临港产业化基地项目正式竣工开业。
中微公司创始人、董事长兼总经理尹志尧致辞中表示，20年前，中微公司从一张白纸开始决心研发高端半导体设备，为产业需求提供优质高效和低成本的解决方案。“过去的20年是全球数码时代大发展的20年，也是中国集成电路产业急起直追、国产化进程加速落地的20年。”
在尹智尧看来，“中国微电子公司抓住了每一次技术更新和政策改革的机会。未来20年，公司将实现新的跨越。”尹志耀表示，决心将中国微电子集团打造成为“集成电路微加工装备百年企业”。
值得一提的是，中芯国际创始人张汝京、长江存储董事长陈南翔现身中微20周年庆典并致辞。
20年历程多设备线突破发展回顾中微二十年的发展历程，从2004年尹智尧博士回国创立中微仅15人的团队，到今天公司逐渐发展到拥有员工2000余人全世界。与此同时，中微也从张江高科技园区一个不起眼的办公室逐渐成长为占地即将达到45万平方米的工厂和办公楼面积。
从2007年成功研制第一台刻蚀设备和薄膜设备并出货给国内客户，到2024年，中微微光已累计在国内外130多条生产线中建立了5000多个反应站，实现了量产和规模化重复销售。
尹志耀表示，半导体微加工装备产业是数字产业的基础。中微的刻蚀机包括CCP高能等离子刻蚀机和ICP低能等离子刻蚀机。依托行业首创的双机刻蚀设备技术，中微科技率先提出“皮米级”加工精度概念。其蚀刻精度已达到100“皮米”以下的水平，其产品具有蚀刻应用覆盖面丰富的优势。可满足90%以上的刻蚀应用需求，技术能力已覆盖5纳米及以下更先进水平。
MOCVD设备方面，中微在氮化镓和LED设备市场取得了主导份额。自第一代MOCVD设备推出以来，中微不断丰富产品线并快速升级迭代。目前，中微在Mini LED等氮化镓基设备领域拥有最大市场份额，并持续研发氮化设备。用于制造功率器件（如镓和碳化硅）以及Micro-LED 器件的MOCVD 设备。
在半导体薄膜沉积设备领域，中微电子推出Preforma Uniflex CW等新产品，获得客户重复订单，实现多元化业务发展。今年，中微计划推出10余款新型薄膜沉积设备，进一步扩大在薄膜沉积领域的产品覆盖范围。
此外，中微新研发的硅及硅锗外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等多款新产品也将于近期投入市场验证。
值得关注的是，整合产业链上下游相关资源也是中微公司面向未来发展的一项发力点，通过积极考虑投资和并购，推动该公司更快发展。中微公司预计，在未来的五到十年，将通过自主研发以及携手行业合作伙伴，覆盖集成电路关键领域50%至60%的设备。临港产业化基地启用中国微电子集团临港产业化基地今天（8月2日）正式揭牌。基地占地约157亩，总建筑面积约18万平方米。项目基础设施总投资约15亿元。
据了解，该项目配备了行业领先的实验室、高标准洁净室、先进的生产车间和智能立体仓库。能够实现整个生产过程的数字化、智能化管理，将为进一步增强公司的生产能力、研发能力和科技创新水平提供支撑。
目前，位于上海滴水湖畔的中微电子临港总部及研发大楼也在建设中，建成后占地面积约10万平方米。未来，中微生产研发基地总面积将达到约45万平方米。
“过去二十年，中微实现了从一到十的进步。展望下一个二十年，我们将实现从十到百的跨越。”尹志耀博士表示，立志将中微建设成为半导体集成电路微加工装备百年企业，中微电子的目标是到2035年成为规模和竞争力世界一流的半导体装备公司。
尹志耀博士出生于1944年，今年80岁。他在现场表示，对AMEC的发展前景充满信心，期待20年后再次相聚，庆祝AMEC成立40周年。
今天（8月2日）的中微成立20周年庆典上，中芯国际创始人张汝京、长江存储董事长陈南翔作为中微客户或合作伙伴出席活动并致辞。
张汝京回忆了中微成立前鼓励尹智尧博士回国创业的经历，以及中芯国际在中微成立后立即购买并使用第一台双室刻蚀设备的经历。 2007年的时候。
陈南翔发言称，国内做半导体设备的公司很多，在真正有创新力的企业中，中微公司是典型代表。“20年来中微公司也成就了国内半导体设备产业，并为行业留下了许多难得的发现机遇。”
