Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％！

据快科技消息6 月20 日消息，Intel 正式宣布，Intel 3 工艺（相当于3nm 级别）已投入大规模量产，用于Xeon 6 Sierra Forest 能效核心版和Granite Ridge 性能核心版，将于下半年推出。但不适用于核心。

作为现有Intel 4的升级版本，Intel 3带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用。它不仅用于自有产品，还首次向外部OEM开放。它将继续使用许多年。迭代。

首先，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。

为了获得性能和密度的最佳平衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——Intel 4只有前者。

如果客户有不同的需求，还可以选择三种不同的金属堆叠层：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。

此外，Intel 3工艺更熟练地使用EUV极紫外光刻，EUV更多地应用于生产工艺中。

最终结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18的提升！

Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17。

不过在关键尺寸方面，Intel 3和Intel 4基本相同，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm。另外，除了12K库高x CPP面积外，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。

Intel 3未来还会优化推出不同版本，对某个角度进行强化：

Intel 3-T：重点介绍硅通孔（TSV）技术并针对3D堆叠进行优化。

Intel 3-E：扩展更多功能，如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。

Intel 3-PT：在3-E的基础上，通过硅孔和混合键合增加了9微米间距，性能提升了至少5%，并且更易于使用。可用于AI、HPC芯片和通用计算芯片。

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