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首页 与“研发”有关的内容
  • SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 目标2027年量产

    SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 目标2027年量产

    快科技12月9日消息,据Trendforce报道,SK海力士确认将于2027年初量产第十代V10 NAND闪存,核心突破在于首次采用300+层堆叠架构并集成混合键合技术(Hybrid Bonding)。 该技术通过将存储阵列晶圆与外围电路晶圆...

    SK海力士 NAND 研发
    2025年12月09日
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  • 龙芯中科确认:32核以上3D7000是重点研发芯片

    龙芯中科确认:32核以上3D7000是重点研发芯片

    快科技11月17日消息,今天龙芯中科发布投资者关系活动记录表称,Xnm先进工艺32核以上服务器芯片3D7000,是龙芯2025-2027年重点研发的芯片。 龙芯还表示,结合Xnm工艺进展情况,也有可能先做1Xnm工艺16核服务器芯...

    龙芯中科 龙芯3D7000 GPU
    2025年11月17日
    0 2886
  • 比EUV更强 美国公司研发X光刻机:目标取代台积电和ASML

    比EUV更强 美国公司研发X光刻机:目标取代台积电和ASML

    快科技10月30日消息,先进芯片工艺越来越离不开EUV光刻机,全球仅有荷兰ASML公司能生产,现在美国一家初创公司要用新技术挑战ASML的地位了。 这家公司名为Substrate,他们的终极目标是在美国建立晶圆代工业务,挑...

    ASML 光刻机 EUV光刻机
    2025年10月30日
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  • QLC硬盘容量提升1000倍 SK海力士研发全新PB级SSD

    QLC硬盘容量提升1000倍 SK海力士研发全新PB级SSD

    快科技10月27日消息,随着AI的火热,对存储芯片的要求也不断提高,HBM内存是必须的,大容量SSD硬盘也少不了,SK海力士已经在研发全新的PB级SSD硬盘。 韩媒报道,SK海力士eSSD产品开发负责人Chun Sung Kim之前的OC...

    SK海力士 固态硬盘 QLC闪存
    2025年10月27日
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  • 全球首颗!复旦团队成功研发二维-硅基混合架构闪存芯片

    全球首颗!复旦团队成功研发二维-硅基混合架构闪存芯片

    快科技10月9日消息,时隔半年,继“破晓(PoX)”皮秒闪存器件问世,复旦大学在二维电子器件工程化道路上,再获里程碑式突破。 日前,复旦大学宣布,该校周鹏-刘春森团队研发的“长缨(CY-01)&rd...

    复旦大学 闪存 芯片
    2025年10月09日
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  • 登月必须要上网 美国砸15万美元研发月球Wi-Fi

    登月必须要上网 美国砸15万美元研发月球Wi-Fi

    快科技10月76日消息,美国计划在2027年重返月球,21世纪的登月要解决新的技术要求,比如设备联网,为此美国NASA开始研发月球Wi-Fi网络。 据美国太空通讯公司Solstar Space的消息,该公司日前获得了NASA美国航空航...

    美国航空航天局 美国 Wi-Fi
    2025年10月06日
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  • 直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3

    直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3

    快科技9月2日消息,HBM高带宽内存在AI时代愈发重要,价值不输高性能GPU本身,也是当前内存技术的制高点,目前生产主要集中在韩国SK海力士、三星及美国的美光公司手中。 国内的存储芯片企业一方面在扩增产能,一方...

    DRAM 内存 HBM3E
    2025年09月02日
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  • AMD研发2.5D/3.5D chiplet架构封装GPU:重返高端显卡市场和NVIDIA竞争

    AMD研发2.5D/3.5D chiplet架构封装GPU:重返高端显卡市场和NVIDIA竞争

    快科技8月31日消息,AMD高端显卡可能真的要硬起来了。 据Toms Hardware报道,AMD旗下资深研究员、公司SoC首席架构师Laks Pappu在其LinkedIn资料中透露,AMD正研发新一代采用2.5D / 3.5D chiplet架构封装的GPU,这...

    AMD 显卡 GPU
    2025年08月31日
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  • 或已共享第三方!台积电2nm工艺研发关键信息被窃取:东京电子首回应 解雇泄密员工

    或已共享第三方!台积电2nm工艺研发关键信息被窃取:东京电子首回应 解雇泄密员工

    快科技8月7日消息,昨天我们报道了台积电2nm工艺出现了泄密的消息,而这也引发了外界的关注。 报道中提到,台积电在例行性监控中发现未经授权的活动,疑涉及其最先进的2nm芯片技术。 该公司随即展开内部调查,并...

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  • 大量拍摄资料流向东京电子员工!台积电2nm工艺突然泄密:制程、研发关键信息被获取

    大量拍摄资料流向东京电子员工!台积电2nm工艺突然泄密:制程、研发关键信息被获取

    快科技8月6日消息,据国外媒体报道称,作为目前全球最顶尖的半导体技术,台积电的2nm工艺出现了泄密。 报道中提到,台积电在例行性监控中发现未经授权的活动,疑涉及其最先进的2nm芯片技术。 该公司随即展开内部...

    台积电 台积电4N 2nm
    2025年08月06日
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  • 美国财长解释对华出口H20芯片:中国已研发出同等性能的芯片!

    美国财长解释对华出口H20芯片:中国已研发出同等性能的芯片!

    快科技7月16日消息,据媒体报道,当地时间7月15日,美国财政部长贝森特在电视台节目中谈及英伟达公司获准出口H20芯片时说,中国已经研发出性能与H20芯片相当的芯片,因此英伟达销售H20芯片不存在问题。 英伟达CEO...

    美国 H20 AI芯片
    2025年07月16日
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  • 紫光国芯发布自研PSRAM存储器:最大容量16MB 只要25元

    紫光国芯发布自研PSRAM存储器:最大容量16MB 只要25元

    快科技7月1日消息,紫光国芯官方宣布,自主研发的PSRAM存储芯片正式发布,同步开卖。 PSRAM也就是“低功耗伪静态随机存储器”,是面向嵌入系统、消费电子、IoT物联网、可穿戴设备、端侧AI产品打造的新...

    紫光国芯 存储 自主研发
    2025年07月01日
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  • 史上最先进!ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机:5nm单次曝光

    史上最先进!ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机:5nm单次曝光

    快科技6月29日消息,全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机,为未来十年的芯片产业做准备。 Jos Benschop表示,ASML及独家光学合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)正在研究可在单次曝光中印...

    光刻机 ASML 极紫外光刻
    2025年06月29日
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  • 美国断供EDA影响不大:小米玄戒O2正在顺利研发中 或还是3nm!

    美国断供EDA影响不大:小米玄戒O2正在顺利研发中 或还是3nm!

    快科技6月25日消息,既然申请“XRING O2”商标,那么小米应该也是正在进行玄戒O2研发了。 据国内媒体报道称,虽然美国断供EDA,但这似乎不太影响小米玄戒新品发研发。 按照之前Synopsys的说法,如果国...

    3nm 3纳米 玄戒O1
    2025年06月25日
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  • ASML称中国早已研发国产光刻机:中科院成功研发DUV光源技术 能生产3nm

    ASML称中国早已研发国产光刻机:中科院成功研发DUV光源技术 能生产3nm

    快科技6月7日消息,据国外媒体报道称,近日ASML CEO接受媒体采访时表示,中国早已研发国产光刻设备。 在这位CEO看来,尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走,但美国出台的打压措施只会适得其反,让中国&...

    ASML 阿斯麦 光刻机
    2025年06月07日
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    中国内存紧追不舍!长鑫成功研发并量产LPDDR5X:冲刺LPDDR6

    快科技6月6日消息,中国的内存技术正在快速崛起,与韩国的差距逐渐缩小。 据媒体报道,长鑫存储在低功耗内存半导体(LPDDR)领域取得了显著进展,已经成功开发并量产了LPDDR5X,并且今年就正在向LPDDR6发起冲刺。...

    长鑫存储 LPDDR5X LPDDR6
    2025年06月06日
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    技嘉科技横扫 2025 iF 与红点设计大奖,展现全产品线研发实力

    全球计算机品牌技嘉科技(GIGABYTE)延续设计领域的优异表现,荣获 2025 iF 设计大奖与德国红点设计大奖多项殊荣,肯定技嘉在产品性能与美学的创新突破,同时展现致力于 AI 普及至所有使用者的坚定承诺。 技嘉多...

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    2025年05月06日
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    英特尔与面壁智能宣布建立战略合作伙伴关系 共同研发端侧原生智能座舱 定义下一代车载AI

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    2025年03月31日
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    快科技3月25日消息,据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。 据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化...

    中科院 光刻机 ASML
    2025年03月25日
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