国际首次！复旦团队实现超快闪存的规模集成和极限微缩
快科技8月13日消息，据“复旦大学微电子学院”官方微博周鹏-刘春森团队从界面工程出发，在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。报道，人工智能的快速发展迫切需要高速非易失性存储技术，而目前的编程速度主流非易失性闪存的存储容量一般在百微秒级别，无法支持应用需求。
研究团队前期发现二维半导体结构可将速度提升千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，实现大规模集成并走向实际应用仍然具有挑战性。
为此，研究人员开发了超级界面工程技术，在大规模二维闪存中实现原子级平坦度的异构界面。结合高精度表征技术，表明集成工艺优于国际水平。
研究人员通过了严格的直流存储窗口和交流脉冲存储性能测试。证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，在纳秒级非易失编程速度下的良率可高达98%，这一良率高于国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。此外，研究团队开发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合独创创新的超快存储堆栈电场设计理论，成功实现了超快闪存该器件沟道长度为8纳米，是目前沟道最短的闪存器件，突破了硅基闪存的物理尺寸限制（约15纳米）。
在原子级薄通道的支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。有望推动超快颠覆性闪存技术产业化。
