三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟
快科技7月3日讯据媒体报道，三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中，巧妙地在金属化工艺环节引入了钼（Mo）作为替代材料，与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。
面对钨材料在降低层高方面已经达到的物理极限，三星前瞻性地转向钼，这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减，还能显著降低NAND闪存的响应时间，为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。三星的这一决定预示着NAND材料供应链即将发生深刻的变化和重塑。
值得注意的是，钼材料的引入并不容易。它需要能够承受高温加工的生产设备，将固态钼原料加热到600转变为气态，这与六氟化钨（WF6）的加工方法完全不同。
为此，三星已积极行动，从Lam Research公司引进了首批5台钼沉积机，并计划在明年再购买20台，以加速其钼基NAND生产布局。
在供应链方面，三星正与包括Entegris和液化空气在内的多家领先供应商密切合作，以确保钼源的稳定供应。与此同时，默克等企业也积极响应，向三星提供钼材料样品，展现了业界对新技术路径的广泛支持和期待。
此外，SK海力士、美光和铠侠等业界巨头也纷纷跟进，探索在NAND生产中采用钼材料的可行性，共同推动半导体材料的革新进程。
但钼材料的使用也伴随着成本的增加，其市场价格比六氟化钨高出近十倍。尽管如此，鉴于其在提升性能方面的显着优势以及未来在DRAM和逻辑芯片领域的潜在应用，钼材料正成为众多企业追逐的新宠。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力，而含钼材料市场将快速上涨。
