速度是NAND的1000倍！三星：基本完成8nm eMRAM内存开发
据快科技讯5 月31 日消息，三星电子在近日的“AI-PIM 研讨会”上表示，其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成，正在按计划逐步推进工艺升级。
eMRAM 是一种基于磁原理的新型存储技术。与传统的DRAM内存相比，它是非易失性的，并且实现了更高的能效。
此外，不需要定期刷新数据，使其能够支持写入速率要求较高的应用场景。
三星电子目前拥有28nm eMRAM的生产能力，并已开始供应智能手表等终端产品。
据此前报道，三星电子原计划于2024年量产14nm eMRAM，并于2026年实现8nm eMRAM量产。
目前，随着8nm eMRAM的开发基本完成，公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步推进。
eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍，并表示其产品耐温已达到150~160，完全可以满足汽车行业对半导体的严格要求。
